| 基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件 |
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| 引用本文： | 刘道广,郝跃,徐世六,李开成,刘玉奎,何开全,刘嵘侃,张静,刘伦才,徐婉静,李荣强,陈光炳,徐学良.基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件[J].半导体学报,2005,26(3). |
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| 作者姓名： | 刘道广 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 何开全 刘嵘侃 张静 刘伦才 徐婉静 李荣强 陈光炳 徐学良 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安 710071;中国电子科技集团电子24所,重庆,400060;国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060;西安电子科技大学微电子所,西安 710071;中国电子科技集团电子24所,重庆,400060;国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件.
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| 关 键 词： | 自对准 空气桥 SiGe合金材料 |
SiGe HBT with fmax of 157GHz Based on MBE |
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