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HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应
引用本文:孙涛,王庆学,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨.HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应[J].半导体学报,2005,26(1).
作者姓名:孙涛  王庆学  陈文桥  梁晋穗  陈兴国  胡晓宁  李言谨
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所,功能材料器件中心,上海,200083
摘    要:通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除.

关 键 词:HgCdTe  CdTe  钝化  二维点阵

Mosaic Structure and Heating Treatment of Passivated HgCdTe
Abstract:
Keywords:
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