| MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器 |
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| 引用本文： | 黄家乐,毛陆虹,陈弘达,高鹏,刘金彬,雷晓荃. MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器[J]. 半导体学报, 2005, 26(10) |
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| 作者姓名： | 黄家乐 毛陆虹 陈弘达 高鹏 刘金彬 雷晓荃 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子与信息工程学院,天津,300072
2. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.
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| 关 键 词： | 单片集成 MS/RF CMOS工艺 硅光电探测器 暗电流 响应度 结电容 |
A MS/RF CMOS-Process-Compatible Photodetector |
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| Huang Jiale,Mao Luhong,Chen Hongda,Gao Peng,Liu Jinbin,Lei Xiaoquan. A MS/RF CMOS-Process-Compatible Photodetector[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(10) |
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| Authors: | Huang Jiale Mao Luhong Chen Hongda Gao Peng Liu Jinbin Lei Xiaoquan |
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