| 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 |
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| 引用本文： | 孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨.不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J].半导体学报,2005,26(1). |
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| 作者姓名： | 孙涛 陈文桥 梁晋穗 陈兴国 胡晓宁 李言谨 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.
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| 关 键 词： | HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流 |
Dark Current Mechanism of HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by Different Structure |
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