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| 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件 | |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 跨导 直流特性 场板 |
AlGaN/GaN HFET with Transconductance of over 325mS/mm |
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| Keywords: | |
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