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| 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备 | |
| 引用本文： | 陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌. 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J]. 半导体学报, 2005, 26(6) |
| 作者姓名： | 陶凯 董业民 易万兵 王曦 邹世昌 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 2. 中国上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国上海新傲科技有限公司,上海,201821 |
| 摘 要： | 利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmission electron microscope)观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷.该结果为DSOI(dain/source on insulator)器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础. |
| 关 键 词： | DSOI SIMOX 埋氧层 |
Patterned SIMOX Technique for Deep Sub-Micron DSOI Devices |
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| TAO Kai,DONG Yemin,Yi Wanbing,Wang Xi,Zou Shichang. Patterned SIMOX Technique for Deep Sub-Micron DSOI Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6) | |
| Authors: | TAO Kai DONG Yemin Yi Wanbing Wang Xi Zou Shichang |
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| Keywords: | |
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