| 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶 |
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| 引用本文： | 赵玲利,李海江,王守国,叶甜春. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 赵玲利 李海江 王守国 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100010 |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.
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| 关 键 词： | 大气压 冷等离子体 光刻胶 刻蚀 |
Ashing Photoresist Using an Atmospheric Pressure RF-Excited Cold Plasma |
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| Zhao Lingli,Li Haijiang,Wang Shouguo,Ye Tianchun. Ashing Photoresist Using an Atmospheric Pressure RF-Excited Cold Plasma[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Zhao Lingli Li Haijiang Wang Shouguo Ye Tianchun |
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