难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性 |
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引用本文: | 刘文超,夏冠群,李冰寒,黄文奎,刘延祥. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(1) |
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作者姓名: | 刘文超 夏冠群 李冰寒 黄文奎 刘延祥 |
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作者单位: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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摘 要: | 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.
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关 键 词: | Mo/W/Ti/Au GaAs 欧姆接触 钝化 |
Electrical and Structural Properties of Mo/W/Ti/Au Ohmic Contacts to n-GaAs |
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Abstract: | |
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