| 三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较 |
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| 引用本文： | 吕长志,冯士维,王东凤,张小玲,谢雪松,何焱,张浩,徐立国,袁明文,李效白,曾庆明. 三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
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| 作者姓名： | 吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 倒置结构 双异质结 |
Characteristics Comparison of AlGaN/GaN HFET for Three Variant Vertical Structure |
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| Lü Changzhi,Feng Shiwei,Wang Dongfeng,Zhang Xiaoling,Xie Xuesong,He Yan,Zhang Hao,Xu Liguo,Yuan Mingwen,Li Xiaobai,Zeng Qingming. Characteristics Comparison of AlGaN/GaN HFET for Three Variant Vertical Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) |
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| Authors: | Lü Changzhi Feng Shiwei Wang Dongfeng Zhang Xiaoling Xie Xuesong He Yan Zhang Hao Xu Liguo Yuan Mingwen Li Xiaobai Zeng Qingming |
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