| MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 |
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| 引用本文： | 冉军学,王晓亮,胡国新,王军喜,李建平,曾一平,李晋闽. MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 冉军学 王晓亮 胡国新 王军喜 李建平 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.
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| 关 键 词： | MOCVD Mg掺杂 退火 p-GaN DCXRD PL谱 |
Study on MOCVD-Grown Mg-Doped GaN by Annealing Treatment |
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| Ran Junxue,Wang Xiaoliang,Hu Guoxin,Wang Junxi,Li Jianping,Zeng Yiping,Li Pumin. Study on MOCVD-Grown Mg-Doped GaN by Annealing Treatment[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Ran Junxue Wang Xiaoliang Hu Guoxin Wang Junxi Li Jianping Zeng Yiping Li Pumin |
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