| 90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性 |
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| 引用本文： | 陈海峰,马晓华,郝跃,曹艳荣,黄建方,王文博,李康.90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性[J].半导体学报,2005,26(12). |
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| 作者姓名： | 陈海峰 马晓华 郝跃 曹艳荣 黄建方 王文博 李康 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(gate-induced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.
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| 关 键 词： | 最大衬底电流应力 关态 带带遂穿 陷阱电荷 GIDL |
Characteristics of Isub,max Stress in 90nm-Technology nMOSFETs |
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| Chen Haifeng,Ma Xiaohua,Hao Yue,Cao Yanrong,Huang Jianfang,Wang Wenbo,Li Kang.Characteristics of Isub,max Stress in 90nm-Technology nMOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12). |
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| Authors: | Chen Haifeng Ma Xiaohua Hao Yue Cao Yanrong Huang Jianfang Wang Wenbo Li Kang |
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