| 基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合 |
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| 引用本文： | 黄辉,王兴妍,王琦,陈斌,黄永清,任晓敏,孙增辉,钟源,高俊华,马骁宇,陈弘达,陈良惠.基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合[J].半导体学报,2005,26(8). |
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| 作者姓名： | 黄辉 王兴妍 王琦 陈斌 黄永清 任晓敏 孙增辉 钟源 高俊华 马骁宇 陈弘达 陈良惠 |
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| 作者单位： | 1. 北京邮电大学,北京,100876
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.
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| 关 键 词： | 晶片键合 GaAs InP 低温 硫化物 |
Low Temperature InP/GaAs Wafer Bonding Based on a Sulfide Treated Surface |
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| Huang Hui,Wang Xingyan,Wang Qi,Chen Bin,Huang Yongqing,REN Xiaomin,Sun Zenghui,ZHONG Yuan,Gao Junhua,Ma Xiaoyu,Chen Hongda,Chen Lianghui.Low Temperature InP/GaAs Wafer Bonding Based on a Sulfide Treated Surface[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8). |
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| Authors: | Huang Hui Wang Xingyan Wang Qi Chen Bin Huang Yongqing REN Xiaomin Sun Zenghui ZHONG Yuan Gao Junhua Ma Xiaoyu Chen Hongda Chen Lianghui |
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