| TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真 |
| |
| 引用本文： | 朱志炜,郝跃.TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真[J].半导体学报,2005,26(10). |
| |
| 作者姓名： | 朱志炜 郝跃 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技太学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米GGNMOS器件的特性和失效机理进行了仿真研究.分析表明,在TLP应力下,栅串接电阻减小了保护结构漏端的峰值电压;栅漏交迭区电容的存在使得脉冲上升沿加强了栅漏交叠区的电场,栅氧化层电场随着TLP应力的上升沿减小而不断增大,这会导致栅氧化层的提前击穿.仿真显示,栅漏交迭区的电容和栅串接电阻对GGNMOS保护器件的开启特性和ESD耐压的影响是巨大的.该工作为以后的TLP测试和标准化提供了依据和参考.
|
| 关 键 词： | 静电放电 传输线脉冲 氧化层电场 |
A Characterization Simulation of a Deep Sub-Micron GGNMOSFET Under TLP Stress |
| |
| Zhu Zhiwei,Hao Yue.A Characterization Simulation of a Deep Sub-Micron GGNMOSFET Under TLP Stress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10). |
| |
| Authors: | Zhu Zhiwei Hao Yue |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
