| SOI波导弯曲损耗影响因素的分析 |
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| 引用本文： | 陈媛媛,余金中,严清峰,陈少武.SOI波导弯曲损耗影响因素的分析[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用有效折射率方法EIM(effectiveindex method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,改进波导结构,例如在弯曲波导外侧刻槽可以减小SOI脊形波导的弯曲损耗.
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| 关 键 词： | SOI 弯曲波导 弯曲损耗 集成光学 |
Analysis on Influencing Factors of Bend Loss of Silicon-on-Insulator Waveguides |
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| Chen Yuanyuan,Yu Jinzhong,Yan Qingfeng,Chen Shaowu.Analysis on Influencing Factors of Bend Loss of Silicon-on-Insulator Waveguides[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Chen Yuanyuan Yu Jinzhong Yan Qingfeng Chen Shaowu |
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