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| 超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层 | |
| 作者姓名： | 吴贵斌 叶志镇 刘国军 赵炳辉 崔继峰 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| 基金项目： | 科技部攀登计划,浙江省资助项目 |
| 摘 要： | 采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析.结果表明,通过这种方法制备的SiGe虚衬底,不仅可以有效提高外延层中Ge含量,以达到器件设计需要,而且保证很好的晶体质量和平整的表面.Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×106cm-2. |
| 关 键 词： | 超高真空化学气相沉积 锗硅 缓冲层 |
| 收稿时间： | 2015-08-19 |
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