| 镜像法分析静电感应晶体管特性 |
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| 引用本文： | 胡冬青,李思渊,王永顺.镜像法分析静电感应晶体管特性[J].半导体学报,2005,26(2):258-265. |
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| 作者姓名： | 胡冬青 李思渊 王永顺 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,静电感应器件研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,静电感应器件研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,静电感应器件研究所,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小,并随位移栅压一起趋向于0;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大,到一定数值后,电压放大因子趋于常数.最后给出了SIT I-V特性解析表达式,它既适用于类三极管特性(加大栅压下)也适用于混合特性(较小栅压下),且由此得到的I-V特性曲线和实验符合较好.
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| 关 键 词： | 静电感应晶体管 镜像法 I-V特性 |
Analysis on Characteristic of Static Induction Transistor Using Mirror Method |
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| Hu Dongqing,Li Siyuan,Wang Yongshun.Analysis on Characteristic of Static Induction Transistor Using Mirror Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):258-265. |
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| Authors: | Hu Dongqing Li Siyuan Wang Yongshun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | static induction transistor mirror method I-V characteristic |
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