| 高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理 |
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| 引用本文： | 胡强,卢铁城,敦少博,张松宝,唐彬,代君龙,ZHU Sha,Wang Lumin. 高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理[J]. 半导体学报, 2005, 26(8) |
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| 作者姓名： | 胡强 卢铁城 敦少博 张松宝 唐彬 代君龙 ZHU Sha Wang Lumin |
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| 作者单位： | 四川大学物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064;四川大学物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064;中国科学院国际材料物理研究中心,沈阳,110015;四川大学物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了1016～1018cm-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge+和Ge2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关.
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| 关 键 词： | Ge纳米晶 阈值剂量 单束双能离子注入 |
Physical Mechanism of Ge Nanocrystals Formed by High-Dose-Ion-Implantation |
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| HU Qiang,Lu Tiecheng,Dun Shaobo,ZHANG Songbao,Tang Bin,DAI Junlong,ZHU Sha,Wang Lumin. Physical Mechanism of Ge Nanocrystals Formed by High-Dose-Ion-Implantation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(8) |
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| Authors: | HU Qiang Lu Tiecheng Dun Shaobo ZHANG Songbao Tang Bin DAI Junlong ZHU Sha Wang Lumin |
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