| 新结构微波功率SiGe HBT的数值分析 |
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| 引用本文： | 刘亮,王玉琦,肖波,亢宝位,吴郁,王哲.新结构微波功率SiGe HBT的数值分析[J].半导体学报,2005,26(1). |
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| 作者姓名： | 刘亮 王玉琦 肖波 亢宝位 吴郁 王哲 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
2. 香港科技大学物理系,香港 |
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| 摘 要： | 提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT),该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较,发现新结构器件的基区-集电区电容减少了55%,因而使器件的最大有效增益提高了大约2dB,其工作在低压(Vce=4.5V)和高压(Vce=28V)情况下的最高振荡频率分别提高了24%和10%.
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| 关 键 词： | 微波功率SiGe HBT MSG/MAG 最高振荡频率 |
Numerical Analysis of A Novel Microwave Power SiGe HBT |
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