| Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性 |
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| 引用本文： | 王建峰,张纪才,张宝顺,伍墨,王玉田,杨辉,梁骏吾. Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
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| 作者姓名： | 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;武汉大学物理系,武汉,430072
2. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，香港研究资助局资助项目 |
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| 摘 要： | 通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13～20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.
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| 关 键 词： | GaN AlN Si衬底 |
Influence of Thickness of High Temperature AlN Buffer Grown on Si(111) on GaN Structure Properties |
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| Wang Jianfeng,Zhang Jicai,Zhang Baoshun,Wu Mo,Wang Yutian,Yang Hui,Liang Junwu. Influence of Thickness of High Temperature AlN Buffer Grown on Si(111) on GaN Structure Properties[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) |
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| Authors: | Wang Jianfeng Zhang Jicai Zhang Baoshun Wu Mo Wang Yutian Yang Hui Liang Junwu |
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