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| 串联电容式RF-MEMS开关的研制 | |
| 作者姓名： | 孙建海 崔大付 |
| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
| 摘 要： | 研制了一种高电容率的电容式RF-MEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在down-state时,上电极能与介质膜紧密接触,而在up-state时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关. |
| 关 键 词： | 电容式RF-MEMS开关 电容率 插入损耗 隔离度 |
| 收稿时间： | 2015-08-19 |
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