| SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟 |
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| 引用本文： | 邹建平,田立林,余志平.SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟[J].半导体学报,2005,26(2). |
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| 作者姓名： | 邹建平 田立林 余志平 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77～300K的温度范围内,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究.模拟结果显示,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响,避免自旋极化率衰减,增大自旋散射长度.栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大,并产生负跨导效应.
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| 关 键 词： | 自旋场效应晶体管 Rashba自旋轨道相互作用 蒙特卡罗方法 |
Simulation of Spin-Polarized Transport in SiGe/Ge/SiGe Heterostructure |
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| Zou Jianping,Tian Lilin,Yu Zhiping.Simulation of Spin-Polarized Transport in SiGe/Ge/SiGe Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2). |
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| Authors: | Zou Jianping Tian Lilin Yu Zhiping |
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