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| 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件 | |
| 引用本文： | 刘道广,郝跃,徐世六,李开成,李培咸,张晓菊,张金凤,郑雪峰,张静,刘嵘侃,刘伦才.基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J].半导体学报,2005,26(1). |
| 作者姓名： | 刘道广 郝跃 徐世六 李开成 李培咸 张晓菊 张金凤 郑雪峰 张静 刘嵘侃 刘伦才 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;中国电子科技集团电子24所,重庆,400060;国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 2. 西安电子科技大学微电子所,西安,710071 3. 中国电子科技集团电子24所,重庆,400060;国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 |
| 摘 要： | 采用干/湿法腐蚀相结合技术,利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀,研究自对准Si/SiGe HBT台面器件,获得了fT＝40GHz,fmax＝127.1GHz的结果. |
| 关 键 词： | 自对准 SiGe材料 干/湿法腐蚀 |
Self-Aligned SiGe HBT Based on Dry-Wet Etching |
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| Keywords: | |
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