| SiC基的高性能紫外光电探测器 |
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| 引用本文： | 黄莉敏,谢家纯,梁锦. SiC基的高性能紫外光电探测器[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
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| 作者姓名： | 黄莉敏 谢家纯 梁锦 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200～400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽为82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.
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| 关 键 词： | 宽禁带 SiC肖特基 光谱响应 UV探测器 |
High Quality Ultraviolet Photodetectors Based on Silicon Carbide |
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| Huang Limin,Xie Jiachun,Liang Jin. High Quality Ultraviolet Photodetectors Based on Silicon Carbide[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) |
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| Authors: | Huang Limin Xie Jiachun Liang Jin |
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