| MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 |
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| 引用本文： | 余学峰,任迪远,艾尔肯,张国强,陆妩,郭旗.MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性[J].半导体学报,2005,26(10). |
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| 作者姓名： | 余学峰 任迪远 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.
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| 关 键 词： | 热载子注入 总剂量辐照 相关性 |
Correlations Between MOS Structures' Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation |
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| Yu Xuefeng,Ren Diyuan,Erken,Zhang Guoqiang,Lu Wu,Guo Qi.Correlations Between MOS Structures' Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10). |
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| Authors: | Yu Xuefeng Ren Diyuan Erken Zhang Guoqiang Lu Wu Guo Qi |
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