| 用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点 |
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| 引用本文： | 梁松,朱洪亮,潘教清,王圩.用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 梁松 朱洪亮 潘教清 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子研究中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.
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| 关 键 词： | InAs 量子点 MOCVD |
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