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| 硅基AlN薄膜制备技术与测试分析 | |
| 引用本文： | 于毅,任天令,刘理天. 硅基AlN薄膜制备技术与测试分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(1) |
| 作者姓名： | 于毅 任天令 刘理天 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°. |
| 关 键 词： | AlN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽 |
Deposition and Characterization of AlN Thin Films on Silicon |
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