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| RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 | |
| 引用本文： | 王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,白云霞.RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J].半导体学报,2005,26(2). |
| 作者姓名： | 王建林 刘忠立 王良臣 曾一平 杨富华 白云霞 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,微电子研发中心,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所,新材料部,北京,100083 4. 中国科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院特别支持项目 |
| 摘 要： | 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础. |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺 |
Several Key Processes for Integration of Resonant Tunneling Diodes and Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors |
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| WANG Jianlin,Liu Zhongli,Wang Liangchen,Zeng Yiping,Yang Fuhua,Bai Yunxia.Several Key Processes for Integration of Resonant Tunneling Diodes and Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2). | |
| Authors: | WANG Jianlin Liu Zhongli Wang Liangchen Zeng Yiping Yang Fuhua Bai Yunxia |
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