| 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理 |
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| 引用本文： | 胡成余,秦志新,冯振兴,陈志忠,杨华,杨志坚,于彤军,胡晓东,姚淑德,张国义. 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理[J]. 半导体学报, 2005, 26(6) |
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| 作者姓名： | 胡成余 秦志新 冯振兴 陈志忠 杨华 杨志坚 于彤军 胡晓东 姚淑德 张国义 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心,北京,100871
2. 北京大学物理学院,技术物理系,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，北京市科研项目，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高.
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| 关 键 词： | p型氮化镓 镍/金 比接触电阻 同步辐射 卢瑟福背散射 |
Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact |
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| HU Chengyu,QIN Zhixin,Feng Zhenxing,Chen Zhizhong,Yang Hua,Yang Zhijian,Yu Tongjun,Hu Xiaodong,YAO Shude,ZHANG Guoyi. Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6) |
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| Authors: | HU Chengyu QIN Zhixin Feng Zhenxing Chen Zhizhong Yang Hua Yang Zhijian Yu Tongjun Hu Xiaodong YAO Shude ZHANG Guoyi |
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