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| 衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计 | |
| 引用本文： | 尹韬,朱樟明,杨银堂,郭磊.衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计[J].半导体学报,2005,26(1). |
| 作者姓名： | 尹韬 朱樟明 杨银堂 郭磊 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| 摘 要： | 讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动技术,设计实现了超低压运算放大器.在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为74dB,相位裕度为66°,失调电压为940μV,输出电压范围为110～798mV. |
| 关 键 词： | 超低压 衬底驱动 运算放大器 CMOS |
Analysis of Bulk-Driven MOSFET and Design of Ultra-Low Voltage Operational Amplifier |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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