| 圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律 |
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| 引用本文： | 董立闽,郭霞,渠红伟,邓军,杜金玉,邹德恕,沈光地. 圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1) |
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| 作者姓名： | 董立闽 郭霞 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.
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| 关 键 词： | VCSEL AlGaAs 湿法氧化 |
Kinetics of Growth of AlAs/AlGaAs Oxide in Cylindrical Mesa |
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| Dong Limin,Guo Xia,Qu Hongwei,Deng Jun,Du Jinyu,Zou Deshu,Shen Guangdi. Kinetics of Growth of AlAs/AlGaAs Oxide in Cylindrical Mesa[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1) |
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| Authors: | Dong Limin Guo Xia Qu Hongwei Deng Jun Du Jinyu Zou Deshu Shen Guangdi |
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