| 硫化温度对CuInS2吸收层薄膜微结构的影响 |
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| 引用本文： | 阎有花,刘迎春,方玲,赵海花,李德仁,卢志超,周少雄.硫化温度对CuInS2吸收层薄膜微结构的影响[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
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| 作者姓名： | 阎有花 刘迎春 方玲 赵海花 李德仁 卢志超 周少雄 |
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| 作者单位： | 钢铁研究总院安泰科技股份有限公司,北京,100081 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用电沉积-硫化法制备了CuInS2(CIS)薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和组分进行了表征.结果表明:在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性CuxS二元相,后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除.硫化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有112]择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.
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| 关 键 词： | Cu-In预制膜 CuInS2薄膜 硫化温度 KCN刻蚀 |
Effects of sulflurization temperature on the microstructures of CuInS2 absorber films |
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| YAN You-hua,LIU Ying-chun,FANG Ling,ZHAO Hai-hua,LI De-ren,LU Zhi-chao,ZHOU Shao-xiong.Effects of sulflurization temperature on the microstructures of CuInS2 absorber films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
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| Authors: | YAN You-hua LIU Ying-chun FANG Ling ZHAO Hai-hua LI De-ren LU Zhi-chao ZHOU Shao-xiong |
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