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| 三层多晶硅ⅡDRAM存储单元 | |
| 作者姓名： | Karl Yang 李庆文 |
| 摘 要： | 用常规工艺技术已研制成功一种存储电容器几乎占用了全部单元面积的DRAM单元。因此我们发现,即使用300A的介质材料,该存储电容也能改进以前报导过的256k DRAM存储单元的结果。在不使用多晶硅化物,双层金属工艺或多行译码器的条件下,提高性能是可能的。 该单元的布局如图1所示,用辅加掩蔽工艺形成隐埋扩散位线,这种辅加的掩蔽工艺能在淀积多晶硅1和正常源/漏注入之前,注入位线和氧化。多晶硅1字线在其与有源区重叠而又没有位线注入的地方形成存取晶体管。用这种方法,多晶硅1字线能跨越隐埋位线而不形成晶体管。多晶硅1还为外围电路形成晶体管。利用多晶硅2和多晶硅3形成存储电容器 |
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