射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜 |
| |
引用本文: | 蒙冕武,邓希敏,刘明登.射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜[J].传感器世界,1998,4(11):10-15. |
| |
作者姓名: | 蒙冕武 邓希敏 刘明登 |
| |
作者单位: | 广西师范大学新技术新材料研究所
(蒙冕武,邓希敏),广西师范大学新技术新材料研究所(刘明登) |
| |
摘 要: | 本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550~650℃温度条件下保温2~3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。
|
关 键 词: | 射频溅射 薄膜 气敏元件 二氧化锡 研制 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|