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激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)
引用本文:徐重阳,刘瑞林,邹雪城.激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)[J].液晶与显示,1994(1).
作者姓名:徐重阳  刘瑞林  邹雪城
作者单位:华中科技大学团体电子学系 武汉430074
摘    要:a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件,为了得到最佳的特性,除了改进用于制造a Si TFT的材料外,a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然,a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中,在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应,即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流,开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关,而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。

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