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| MC模拟计算W-SiC辐射损伤研究 | |
| 作者单位： | 成都理工大学工程技术学院,乐山614000;成都理工大学工程技术学院,乐山614000;核工业西南物理研究院,成都610225 |
| 基金项目： | 成都理工大学工程技术学院苗子工程基金 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 辐照损伤 第一壁材料 W-SiC防护涂层 MC算法 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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