| PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列 |
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| 引用本文： | 王立晟,章晓中.PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列[J].电子显微学报,2005,24(4):252-252. |
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| 作者姓名： | 王立晟 章晓中 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系电子显微镜实验室,北京,100084;清华大学材料科学与工程系电子显微镜实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 本实验采用简单物理气相沈积（PVD）的方汉，直接蒸发Zn粉末，在ZnO（001）取向薄膜衬底上制备出整齐排列的ZnO纳米线陈列，与已有的报道不同，该方法不含任何催化剂或者添加剂。实验在水平管式炉中进行，采用Ar气（200sccm）作为保护气，反应温度750℃，反应时间90分钟。
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| 关 键 词： | 纳米线阵列 PVD法 取向薄膜 ZnO 制备 直接蒸发 反应温度 反应时间 添加剂 |
Synthesis of well-aligned ZnO nanowires by physical vapor deposition on c-oriented ZnO thin films |
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| WANG Li-sheng,ZHANG Xiao-zhong.Synthesis of well-aligned ZnO nanowires by physical vapor deposition on c-oriented ZnO thin films[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2005,24(4):252-252. |
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| Authors: | WANG Li-sheng ZHANG Xiao-zhong |
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