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| CMOS带隙基准电压源的设计 | |
| 作者姓名： | 闫新强 张玉明 林智 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071 |
| 摘 要： | 给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压.文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法. |
| 关 键 词： | CMOS模拟电路 带隙基准电压源 电压稳定性 温度特性 |
| 修稿时间： | 2006-09-08 |
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