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| 共振隧穿二极管的材料结构设哥——共振隧穿器件讲座（5） | |
| 作者姓名： | 郭维廉 |
| 作者单位： | [1]天津工业大学信息与通讯工程学院,天津300160 [2]专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051 [3]天津大学电子信息工程学院,天津300072 |
| 摘 要： | 在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上，确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法，并对以SI—GaAs为衬底的RTD分子束外延（MBE）材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。 |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 材料结构设计 分子束外延 |
| 文章编号： | 1671-4776（2006）08-0361-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-14 |
| 修稿时间： | 2006-03-14 |
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