| 高压GaAs亚纳秒光电导开关的实验研究 |
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| 引用本文： | 李琦,施卫. 高压GaAs亚纳秒光电导开关的实验研究[J]. 电力电子技术, 2002, 36(4): 70-72 |
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| 作者姓名： | 李琦 施卫 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题 (5 0 0 770 17)，瞬态光学技术国家重点实验室开放基金课题(YAK2 0 0 0 2 ) |
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| 摘 要： | 报道了用全固态绝缘结构研制的半绝缘GaAs光电导开关产生高压亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。分别用ns、ps激光脉冲触发开关的测试表明，开关的暗态维持电场达35KV/CM，输出电流脉冲上升时间约500ps，达亚纳秒量级。测量了高倍增开关的光电阈值曲线，其最小触发电场阈值≥4.1kv/cm。开关输出电磁脉冲无晃动。3mm电极间隙开关2500v偏置下，入射能量为8μj时获得线性波形，在48μj时获得Look-on波形。
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| 关 键 词： | 高压 亚纳秒光电导开关 实验 脉冲功率 砷化镓 光电器件 |
| 文章编号： | 1000-100X(2002)04-0070-03 |
| 修稿时间： | 2002-01-16 |
Experiment Study of High Voltage Sub-nanosecond Photoconductive Switch |
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| LI Qi,SHI Wei. Experiment Study of High Voltage Sub-nanosecond Photoconductive Switch[J]. Power Electronics, 2002, 36(4): 70-72 |
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| Authors: | LI Qi SHI Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoconductive switch pulse laser pulse power technology |
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