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IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组
摘 要:
功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。
关 键 词:
国际整流器公司
DirectFET
MOSFET芯片组
导热性能
降压转换器
IRF6608
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