| 利用Cs2CO3和Cs2CO3:BPhen改善OLED的光电性能 |
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| 引用本文： | 杨魏强,张彤蕾,陆勍,陈炳月,吕昭月.利用Cs2CO3和Cs2CO3:BPhen改善OLED的光电性能[J].光电子．激光,2015,26(4):671-675. |
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| 作者姓名： | 杨魏强 张彤蕾 陆勍 陈炳月 吕昭月 |
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| 作者单位： | 华东理工大学 理学院物理系,上海 200237;华东理工大学 理学院物理系,上海 200237;华东理工大学 理学院物理系,上海 200237;华东理工大学 理学院物理系,上海 200237;华东理工大学 理学院物理系,上海 200237 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金(222201314022)和上海市大学生创新训练项目(S13047)资助项目 (华东理工大学 理学院物理系,上海 200237) |
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| 摘 要： | 碳酸铯(Cs2CO3)是优秀的电子注入材料,本文通过器件ITO/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/C545T:Alq3(99∶1,30nm)/Alq3(30nm)/Cs2CO3(xnm)/Al(100nm)优化了Cs2CO3作为电子注入层(EIL)的厚度。Cs2CO3作为EIL,提高了器件的电子注入能力,使更多的电子得以与空穴在发光层复合发光。实验结果表明,Cs2CO3作为EIL的优化厚度为1.5nm时,对应器件的效率是不含Cs2CO3的3倍以上。在Cs2CO3作为EIL的基础上,研究器件结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Cs2CO3:Bphen(0%,5%,10%,15nm)/Cs2CO3(1.5nm)/Al(100nm)时不同浓度的Cs2CO3掺杂电子传输层Bphen(Cs2CO3:Bphen)对器件性能的影响。结果表明,Cs2CO3掺杂浓度较低时(5%)能进一步改善器件的电子传输和注入能力,进而提高器件的发光效率;而掺杂浓度较高时(10%),由于Cs扩散严重,形成淬灭中心,使得发光效率衰减严重。
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| 关 键 词： | 有机电致发光器件(OLED) 电子注入层(EIL) 碳酸铯(Cs2CO3) 掺杂 |
| 收稿时间： | 2014/11/21 0:00:00 |
Improved properties of OLED by utilizing Cs2CO3and Cs2CO3:BPhen |
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| Affiliation: | Department of Physics,School of Science,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,School of Science,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,School of Science,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,School of Science,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,School of Science,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic light-emitting diode (OLED) electron injection layer (EIL) cesium car bonate (Cs2CO3) doping |
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