| 大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器 |
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| 引用本文： | 徐云,郭良,曹青,宋国峰,甘巧强,杨国华,李玉璋,陈良惠.大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器[J].半导体学报,2005,26(11):2213-2217. |
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| 作者姓名： | 徐云 郭良 曹青 宋国峰 甘巧强 杨国华 李玉璋 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100084;惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100085;惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100086;中国科学院半导体研究所，北京 100087;中国科学院半导体研究所，北京 100088;中国科学院半导体研究所，北京 100089;惠州市中科光电有限公司，惠州 516023;中国科学院半导体研究所，北京 100090 |
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| 摘 要： | 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱 大功率 AlGaInP 半导体激光器 High Power Analysis Characteristic Laser Diodes 电流密度 内量子效率 内损耗 器件 激射波长 发散角 远场 垂直结 光输出功率 基横模 串联电阻 斜率效率 工作电流 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2213-05 |
| 收稿时间： | 2005-04-11 |
| 修稿时间： | 2005-05-24 |
Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGaInP Semiconductor Laser Diodes |
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| Xu Yun,Guo Liang,Cao Qing,Song Guofeng,Gan Qiaoqiang,Yang Guohu,Li Yuzhang and Chen Lianghui.Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGaInP Semiconductor Laser Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2213-2217. |
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| Authors: | Xu Yun Guo Liang Cao Qing Song Guofeng Gan Qiaoqiang Yang Guohu Li Yuzhang and Chen Lianghui |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100084,China;E-O National Co,Ltd,Huizhou 516023,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100085,China;E-O National Co,Ltd,Huizhou 516023,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100086,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100087,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100088,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100089,China;E-O National Co,Ltd,Huizhou 516023,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100090,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser diodes AlGaInP visible lasers strained quantum well lasers |
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