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| 脉冲负偏压增强的高质量金刚石薄膜的沉积 | |
| 引用本文： | 李建国,刘实,李依依,胡东平,李军,季锡林,李力,周德惠.脉冲负偏压增强的高质量金刚石薄膜的沉积[J].金刚石与磨料磨具工程,2004(4):40-43. |
| 作者姓名： | 李建国 刘实 李依依 胡东平 李军 季锡林 李力 周德惠 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016;中国工程物理研究院,四川省绵阳市919信箱401分箱,621900 2. 中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016 3. 中国工程物理研究院,四川省绵阳市919信箱401分箱,621900 |
| 基金项目： | 中国工程物理研究院军民两用技术资助 (项目号 :0 2M - 51 ) |
| 摘 要： | 由于直流偏压方法沉积金刚石薄膜易出现电荷积聚现象，从而影响了薄膜的均匀性。本文采用脉冲负偏压增强热丝化学气相沉积(HFCVD)法，以WC—Co硬质合金为衬底制备金刚石薄膜，探讨了在不同频率脉冲直流偏压(500∽5000Hz)T，脉冲偏压对金刚石薄膜的均匀性、致密性和晶粒度的影响，并且讨论了脉冲偏压作用的机理。对沉积的金刚石薄膜进行SEM、XRD和Raman分析。结果表明，采用500Hz脉冲偏压可获得高质量的金刚石薄膜，薄膜的晶粒度小，均匀性和致密性较好。 |
| 关 键 词： | 脉冲偏压 金刚石薄膜 频率 |
| 文章编号： | 1006-852X(2004)04-0040-03 |
| 修稿时间： | 2004年4月16日 |
DEPOSITION OF HIGH QUALITY DIAMOND FILM BY PULSED NEGATIVE BIAS-ENHANCED TECHNIQUE |
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| Li Jianguo , Liu Shi Li Yiyi Hu Dongping Li Jun Ji Xilin Li Li Zhou Dehui.DEPOSITION OF HIGH QUALITY DIAMOND FILM BY PULSED NEGATIVE BIAS-ENHANCED TECHNIQUE[J].Diamond & Abrasives Engineering,2004(4):40-43. | |
| Authors: | Li Jianguo Liu Shi Li Yiyi Hu Dongping Li Jun Ji Xilin Li Li Zhou Dehui |
| Affiliation: | Li Jianguo 1,2 Liu Shi 1 Li Yiyi 1 Hu Dongping 2 Li Jun 2 Ji Xilin 2 Li Li 2 Zhou Dehui 2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | pulsed DC bias diamond film frequency |
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