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| Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO气敏机理的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 于灵敏 韦建松 张荣 雷曼 范新会 严文 |
| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院,西安710021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（51072156;50202177）;陕西省教育厅自然科学专项（2013JK0930） |
| 摘 要： | 针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题,基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO(001)面吸附CO分子后的电子结构和能带结构.研究结果表明:掺杂Ga后ZnO的(001)面的总电子态密度分布与掺杂前类似,带隙中未出现其他的电子态,但掺杂后ZnO表面CO吸附前后的电子态密度发生了显著的变化,价带和导带之间的间隙变小,费米能级进入导带.在此基础上,对Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO的气敏机理进行了理论解释. |
| 关 键 词： | 第一性原理 Ga掺杂 ZnO 气敏机理 |
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