| GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展 |
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| 引用本文： | 王爱玲,毋志民,王聪,赵若禺.GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展[J].材料导报,2013,27(15):113-118. |
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| 作者姓名： | 王爱玲 毋志民 王聪 赵若禺 |
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| 作者单位： | 1. 重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331;重庆市光电功能材料重点实验室,重庆401331
2. 重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆,401331 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部科学技术重点项目，重庆市教委科技项目，重庆市高校创新团队项目 |
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| 摘 要： | 综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
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| 关 键 词： | GaN基稀磁半导体 LiZnAs基新型稀磁半导体 居里温度 晶体结构 |
Research Progress of Diluted Magnetic Semiconductors Based on GaN and LiZnAs |
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| WANG Ailing,WU Zhimin,WANG Cong,ZHAO Ruoyu.Research Progress of Diluted Magnetic Semiconductors Based on GaN and LiZnAs[J].Materials Review,2013,27(15):113-118. |
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| Authors: | WANG Ailing WU Zhimin WANG Cong ZHAO Ruoyu |
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| Affiliation: | WANG Ailing;WU Zhimin;WANG Cong;ZHAO Ruoyu;College of Physics and Electronic Engineering,Chongqing Normal University;Chongqing Key Laboratory of Optical and Electronic Functional Material; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductor based on GaN diluted magnetic semiconductor based on LiZnAs Curie temperature crystal structure |
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