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| 热处理硅中的新施主(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅱ)[J].电子学报,1983(2). |
| 作者姓名： | 许振嘉 孙伯康 王万年 张泽华 刘江夏 何广平 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (许振嘉，孙伯康，王万年，张泽华，刘江夏)，中国科学院半导体研究所(何广平) |
| 摘 要： | 本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,在300～800℃间预热处理都可以促进新施主的产生,其中450℃预热处理的促进作用最大。大于800℃预热处理则减少新施主的产生。新施主比热施主稳定,经1050℃、30小时的热处理,浓度约为1.33×10~(15)cm~(-3)的新施主只消除了68％。本文还较详细地讨论了新施主的本质和产生机理。 |
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