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高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源
引用本文:张万东,陈宏,王一鹏,于奇,宁宁,王向展. 高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源[J]. 微电子学, 2011, 41(1)
作者姓名:张万东  陈宏  王一鹏  于奇  宁宁  王向展
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
摘    要:基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃~135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.

关 键 词:带隙电压基准源  高阶曲率补偿  高电源抑制比

Higher-Order Curvature-Compensated Bandgap Voltage Reference with High PSRR
ZHANG Wandong,CHEN Hong,WANG Yipeng,YU Qi,NING Ning,WANG Xiangzhan. Higher-Order Curvature-Compensated Bandgap Voltage Reference with High PSRR[J]. Microelectronics, 2011, 41(1)
Authors:ZHANG Wandong  CHEN Hong  WANG Yipeng  YU Qi  NING Ning  WANG Xiangzhan
Affiliation:ZHANG Wandong,CHEN Hong,WANG Yipeng,YU Qi,NING Ning,WANG Xiangzhan(State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices,Univ.of Elec.Sci.& Technol.of China,Chengdu 610054,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Bandgap voltage reference  Higher-order curvature compensation  PSRR  
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