| 基于DICE结构的抗辐射SRAM设计 |
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| 引用本文： | 章凌宇,贾宇明,李磊,胡明浩.基于DICE结构的抗辐射SRAM设计[J].微电子学,2011,41(1). |
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| 作者姓名： | 章凌宇 贾宇明 李磊 胡明浩 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子科学技术研究院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力.介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真.在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高.
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| 关 键 词： | 辐射加固 双互锁存储单元 存储器 |
Design of Radiation Hardened SRAM Based on DICE |
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| ZHANG Lingyu,JIA Yuming,LI Lei,HU Minghao.Design of Radiation Hardened SRAM Based on DICE[J].Microelectronics,2011,41(1). |
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| Authors: | ZHANG Lingyu JIA Yuming LI Lei HU Minghao |
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| Affiliation: | ZHANG Lingyu,JIA Yuming,LI Lei,HU Minghao(Research Institute of Electronic Science and Technology,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM |
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