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| 在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT | |
| 作者姓名： | 邹德恕 陈建新 沈光地 高国 杜金玉 张时明 袁颖 王东凤 邓军 W．X．Ni G．V．Hansson |
| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室，北京，100022，北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室，北京，100022，北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室，北京，100022，北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室，北京，100022，北京工业大学电子工程系! |
| 摘 要： | 本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理． |
| 关 键 词： | 液氮温度 硅双极晶体管 增益 设计 |
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