| 分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究 |
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| 引用本文： | 沈川,杨辽,刘仰融,卜顺栋,王高,陈路,何力. 分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(5): 799-803 |
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| 作者姓名： | 沈川 杨辽 刘仰融 卜顺栋 王高 陈路 何力 |
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| 作者单位： | 中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083;国科大杭州高等研究院， 浙江 杭州 310024,中科院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院青年创新促进会项目；上海市自然科学基金资助项目（21ZR1473500） |
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| 摘 要： | 对分子束外延（MBE）生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料，易于形成符合设计参数的PN结轮廓，为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现，在热退火过程中，原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时，通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟，验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 As扩散 热退火 暗电流 |
| 收稿时间： | 2022-02-15 |
| 修稿时间： | 2022-09-06 |
Study on As diffusion control of MBE-grown P-on-N HgCdTe |
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| SHEN Chuan,YANG Liao,LIU Yang-Rong,BU Shun-Dong,WANG Gao,CHEN Lu and HE Li. Study on As diffusion control of MBE-grown P-on-N HgCdTe[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(5): 799-803 |
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| Authors: | SHEN Chuan YANG Liao LIU Yang-Rong BU Shun-Dong WANG Gao CHEN Lu HE Li |
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| Keywords: | HgCdTe As diffusion thermal annealing dark current |
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